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產(chǎn)品分類產(chǎn)品中心/ products
日本optex LED感應(yīng)環(huán)照明OPR系列 邁向自動(dòng)控制亮度的照明。 -產(chǎn)品陣容從外徑尺寸 φ32mm 到 φ85mm -配備“FALUX傳感”可實(shí)現(xiàn)亮度監(jiān)控和反饋控制 -通過使用附加鏡頭，可以將照射角度切換為 3 種模式。 -實(shí)現(xiàn)增加的光強(qiáng)度和均勻的照度分布
更新時(shí)間：2024-08-28
kett電磁式測(cè)厚儀LE-373 LE-373は磁性金屬上のメッキ（電解ニッケルメッキは除く）や 塗裝などの非磁性被膜厚を測(cè)定する膜厚計(jì)です。LH-373は 非磁性金屬上の絶縁被膜厚を測(cè)定する膜厚計(jì)
更新時(shí)間：2024-07-08
日本jtekt滾珠軸承Clean Pro - RB 特點(diǎn)/概述：即使在260℃的高溫環(huán)境下也能實(shí)現(xiàn)低發(fā)塵、低排氣 這是捷太格特潔凈環(huán)境軸承“Clean Pro®系列”的高溫環(huán)境型。通過在軸承的滾動(dòng)面涂上耐熱含氟聚合物涂層，可以在比 Clean Pro Bearing（傳統(tǒng)產(chǎn)品）更高的溫度下使用。
更新時(shí)間：2024-08-29
kett薄膜測(cè)厚儀L-500 ンタ?jī)?nèi)蔵型の膜厚計(jì)です、500は-膜厚計(jì)L 測(cè)定物や測(cè)定箇所に現(xiàn)場(chǎng)での使い勝手を研究し 両手を空、付屬のストラップを使用することで、また。しました 検査室等の機(jī)上で使用する際にも畫面。けることができます 。本體表示面に傾斜を付け
更新時(shí)間：2024-07-08
日本nms超純水過氧化氫監(jiān)測(cè)儀 NOXiEMON® 特征 -使用簡(jiǎn)單的測(cè)量原理 N-Lite® DEP將 H 2 O 2分解為 O 2，??并使用 DO 計(jì)測(cè)量生成的 O 2 。 -無需化學(xué)品， 由于不使用添加劑，因此維護(hù)很容易。 -超純水的理想選擇使用 N-Lite® DEP，可以在沒有任何干擾物質(zhì)的情況下測(cè)量 TOC-UV 產(chǎn)生的2 O 2 。
更新時(shí)間：2024-08-29
日本rundum半導(dǎo)體再結(jié)晶碳化硅復(fù)合片 PARUCOCERAM RE 采用高純度SiC原料的再結(jié)晶碳化硅成型體。可在真空和惰性氣體氣氛下高溫使用。它還用于耐熱部件，如化合物半導(dǎo)體熱處理部件、窯爐部件和加熱器，以及利用其多孔特性的過濾器。 規(guī)格 產(chǎn)品名稱：PARUCOCERAM RE 材料：再結(jié)晶碳化硅（高純） 主要用途：化合物半導(dǎo)體熱處理部件、耐熱結(jié)構(gòu)材料、燒成夾具
更新時(shí)間：2024-08-28
日本horiba雙通道電阻率計(jì)HE-960RW-GC(W) HE-960RW-GC(W) 是一款可以同步測(cè)量的雙通道碳傳感器電阻率計(jì)，可連接兩個(gè)傳感器。測(cè)量范圍為：0 - 100.0 MΩ?cm。同步測(cè)量?jī)蓚€(gè)不同位置的電阻率輸出時(shí)保持高性能和高精度。測(cè)量在一個(gè)簡(jiǎn)單的轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行，以獲得整體的成本效益。
更新時(shí)間：2024-08-28
日本horiba微量 pH計(jì) UP-100 HORIBA 采用新型超微毛細(xì)管電極對(duì)其pH 測(cè)量技術(shù)進(jìn)行二次研發(fā)。HORIBA 的 UP-100 系列提供僅 500 uL/單次測(cè)量的超低樣品消耗，支持對(duì)包括半導(dǎo)體（清洗、刻蝕和電鍍）、化學(xué)制造、生物、制藥、食品加工等在內(nèi)的各種關(guān)鍵制程進(jìn)行連續(xù)的 pH 監(jiān)控。設(shè)計(jì)連續(xù)運(yùn)行時(shí)間 6 個(gè)月，無需操作人員干預(yù)，有效的減少停機(jī)時(shí)間
更新時(shí)間：2024-08-28
日本horiba光纖型化學(xué)藥液濃度計(jì) CS-600F CS-600F 提供適合生產(chǎn)的更高級(jí)功能，如在各種應(yīng)用中對(duì)高溫化學(xué)藥液進(jìn)行在線測(cè)量的能力，減少停機(jī)時(shí)間的穩(wěn)定運(yùn)行，以及提高空間生產(chǎn)率的緊湊尺寸，以滿足先進(jìn)半導(dǎo)體濕法制程所需的準(zhǔn)確化學(xué)藥液濃度管理。
更新時(shí)間：2024-08-28
日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計(jì) CS-620F 在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中，通過控制化學(xué)藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號(hào)很難測(cè)量高溫化學(xué)藥液，但 CS-620F 能夠在高達(dá) 170℃ 的高溫下進(jìn)行測(cè)量。使用吸收光譜進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，與其他方法相比，需要的維護(hù)和耗材更少。
更新時(shí)間：2024-08-28
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